2019年4月20日，第三方专业科技成果评价机构——中科合创(北京)科技成果评价中心在太原依据科技部《科学技术评价办法》的有关规定，按照科技成果评价的标准及程序，本着科学、独立、客观、公正的原则，组织专家对太原理工大学、山西飞虹微纳米光电科技有限公司与陕西科技大学、北京工业大学共同完成的“高功率InGaAs基红外激光器材料与芯片制造技术”项目，以及与华南理工大学、合肥工业大学、深圳恒之源科技股份有限公司共同完成的“高光效GaN基LED外延材料与芯片制造技术”项目进行了科技成果评价。

　　据悉，此次评价会的专家由中国工程院院士姜德生，中国科学院院士范守善，中国工程院院士吴以成，中国科学院半导体研究所研究员赵德刚，北京大学教授邹德春，山西大学教授肖连团，中国电子科技集团公司第三十三研究所研究员乔妙杰组成。

　　经过专家评审，认为“高功率InGaAs基红外激光器材料与芯片制造技术”项目发明了应变平衡量子阱结构的LD外延材料，提高了量子阱中的异质界面质量，降低了激光器的阈值电流，解决了电光转换效率低的瓶颈问题;发明了大光腔非对称波导层结构，调控了光场分布，抑制了吸收损耗，并提高了光束质量，攻克了输出功率低的难题;发明了循环退火Si钝化腔面新技术，使解理芯片腔面的悬挂键与硅原子充分键合，提高了激光器的抗光学灾变损伤能力，使器件寿命提高到20000小时，达到国际同类产品的水平;基于上述技术研制的高功率红外激光器件：单管输出功率≥20W，阈值电流≤1.6A，工作电压≤1.7V，斜率效率≥1.05W/A，电光转化效率≥60%，该技术和产品性能达到了国际先进水平，并在民用高端激光加工制造和军工相关领域获得广泛应用，产生了较大的经济效益和社会效益。“高光效GaN基LED外延材料与芯片制造技术”项目发明了In组分渐变的InGaN/GaN多量子阱层结构的外延材料，降低了外延材料中的极化效应，有效地增加了载流子的复合几率;发明了Al组分渐变的AlGaN电子阻挡层，改善了载流子的空间分布;攻克了内量子效率低的技术难题;发明了在形核层和未掺杂层之间插入SiNx材料的技术，有效降低了外延材料的位错密度，解决了晶体质量差的瓶颈问题;发明了在H2/N2混合气氛下生长量子阱中GaN的新工艺，有效的抑制了In组分扩散，克服了InGaN/GaN界面质量差的瓶颈问题;发明了外延材料中周期性纳米柱阵列结构的刻蚀工艺，解决了芯片出光效率低的难题;基于上述技术研制的高光效LED器件：在60mA的驱动电流下，开启电压最低为2.741V，产生的白光光通量高达29.62lm，光效达180lm/W，该技术和产品性能达国际先进水平;相关技术已实施转化，产生了一定的经济效益和社会效益。经专家组全面审核，与会专家一致同意，“高功率InGaAs基红外激光器材料与芯片制造技术”、“高光效GaN基LED外延材料与芯片制造技术”项目通过科技成果评价。