2018年11月15日，中科合创(北京)科技成果评价中心组织专家，在北京召开了由北京北广科技股份有限公司研制完成的“射频发生器”项目科技成果评价会。评价委员会听取了项目组的汇报，查看了技术总结报告、测试报告和用户使用报告，经质询和讨论，形成如下评价意见：

　　1.提供的成果评价资料齐全，符合科技成果评价要求。

　　2.该项目采用自主的大功率MOSFET芯片封装制造工艺和成熟的E类射频功率放大技术、大功率陶瓷滤波技术、高线性小型化的定向耦合器技术、高效冷板散热技术、负载阻抗变化自动扫频跟踪技术、笼式结构滤波器技术，研制成功了高功率密度、高线性度和高效的小型化13.56MHz 1.5/3kW射频发生器和2MHz 3kW射频发生器，技术水平达到国际先进。

　　3.产品实现了模块化、组合化、系列化，经小批量生产验证，产品一致性较好。可广泛应用于半导体射频溅射、等离子体刻蚀等半导体装备及其它领域，具备较大的应用推广价值。

　　4.该项目形成并申报了41件专利，其中国内发明专利32件(已授权2件)，国际发明专利3件(已授权1件)，形成企业产品标准3项。

　　专家组认为，该项目符合《国家集成电路产业发展推进纲要》的政策要求，推进了集成电路制造装备的国产化进程，一致同意通过成果评价。

专家组成员

　　袁震宇　北京航空航天大学教授级高工

　　孙　岩　北京北方华创微电子装备有限公司技术副总裁、教授级高工

　　陈明华　清华大学电子工程系教授

　　刘红旗　中国联通集团研究院教授级高工

　　张　兴　北京邮电大学教授

　　嵇智源　科技部高技术研究发展中心研究员

　　王　毅　工业和信息化部电子工业标准化研究院高工