2019年3月19日，中科合创(北京)科技成果评价中心组织专家，在沈阳召开了由沈阳拓荆科技有限公司完成的“原子层沉积(ALD)设备(FT-300T)”项目科技成果评价会。与会专家听取了项目完成单位的汇报，审阅了研制报告、科技查新报告、检测报告、用户意见等资料，查看了研发和生产现场，经质询、讨论，形成评价意见如下：

　　1.提供的评价资料齐全、规范，符合科技成果评价要求。

　　2.该项目面向28nm以下集成电路工艺要求，攻克了ALD设备反应腔制造技术、前躯体原料快速脉冲的高精准控制技术、ALD工艺技术、ALD设备应用集成技术等关键技术难题，实现了ALD设备在TSV(硅通孔)及半导体spacer(侧墙)、Double patterning(双曝光)等工艺方面的应用。

　　3.该项目主要创新点：

　　(1)开发了多路气体集成的气体供应系统和快速切换逻辑系统，并采用独立系统控制架构，使循环内每步骤精准控制在100ms以下，多次循环信号响应速度可达10ms，实现了具有国际竞争力的高产能。

　　(2)创新性提出了反应腔侧抽和下抽结合的抽气设计、反应腔内特定区域小量气体通入设计、无涡流的喷淋头设计、晶圆传输系统最小接触设计，有效控制了颗粒产生，提高了薄膜质量。

　　4.该项目获授权专利12项，其中发明专利7项，具有自主知识产权。经上海集成电路研发中心有限公司等用户应用表明，产品性能稳定，满足主流生产线的工艺要求。

　　综上所述，该成果填补了国内空白，综合性能指标达到国际先进水平，在集成电路领域具有广泛的应用前景。

专家组成员

　　巴德纯　东北大学教授、博导

　　孙足来　沈阳真空技术研究所有限公司教授级高工、总工

　　宫　骏　中国科学院金属研究所研究员

　　姜立娟　中国电子科技集团公司第四十七研究所研究员

　　廖国进　辽宁工业大学教授